Acheson WLR测试系统

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功率半导体SiC晶圆级动态WLR测试系统

性能特点产品参数

性能特点：

应用于 6 英寸 SiC MOSFET 晶圆老化测试，温度范围最高 200℃

测试机柜支持 6 晶圆并行测试，每层测试子单元完成一种测试

保护功能全，任意芯片出现损害不影响其他DUT，互不干扰

测试符合 AQG324 或JEP195 标准

产品参数：

适用产品：车规级SiC MOSFET 晶圆，兼容4, 6, 8英寸

测试类型：HTGB, DHTGB, HTRB, DHTRB

温度应力范围：常温至200℃

电压应力范围
HTGB: -35V~+35V
DHTGB: ±35V, 0Hz~100kHz, 占空比0%~100%, dVGS/dt > 1V/ns
HTRB: 0V~2000V
DHTRB: 0V/2000V, 0Hz~100kHz, 占空比0%~100%, dVDS/dt > 50V/ns

系统层数：6

单层系统工位：720

测量参数及量程
HTGB, DHTGB: VGS(th) (200mV-20V), IGSS (1nA~20mA)
HTRB, DHTRB: IDSS (100nA~20mA)

典型测量精度
VGS(th) : 0.015% + 1mV (@20V)
IGSS: 0.060% + 100pA (@100nA)
IDSS: 0.1%+10nA (@100nA)