系统具备芯片测试能力，包含Vth测试，栅漏电电流测试，漏极漏电流，GB/RB测试
支持实验程序自定义、支持失效判定
具备自动视觉对准功能、具备晶圆ID识别功能
支持晶圆MAP输入与识别功能
拥有长期高温工作能力
适用产品：车规级SiC MOSFET 晶圆，兼容4, 6, 8英寸
老化测试：HTGB，HTRB
温度应力范围：常温至200℃
电压应力范围：HTGB:最大至 ±75V HTRB: 最大至 2000V
系统层数：手动版：1 自动版: 最多6层（3+3）
单层系统工位：最大至1300
测量参数及量程：HTGB: IGSS (±10nA~±1A)
HTRB: IDSS (100nA~20mA)
老化测试前后：VGS(th) (20mV~200V)
典型测量精度：VGS(th) : 0.015% + 1mV (@20V), IGSS: 0.060% + 100pA (@100nA), IDSS:0.1% (@1μA)
防打火环境：密封设计，可填充氮气或压缩空气，最大支持0.6MPa气压环境
老化探针卡：需根据被测晶圆进行定制，电气性能、结构性能满足测试需求
