应用于4,6,8英寸 SiC MOSFET 晶圆老化测试，温度范围最高 200℃
测试机柜支持 1~6 晶圆并行测试，每层测试子单元完成一种测试
保护功能全，任意芯片出现损害不影响其他DUT，互不干扰
测试符合 AQG324 或 JEP195 标准
适用产品：车规级SiC MOSFET 晶圆，兼容4, 6, 8英寸
测试类型：HTGB/HTRB, DHTGB
温度应力范围：常温至200℃
电压应力范围：HTGB: -30V~+30V; DHTGB: ±30V, 0Hz~500kHz, 占空比0%~100%, 最大dVGS/dt>1V/ns；HTRB: 0V~2000V;
系统层数：1~6层任意
单层系统工位：2000
测量参数及量程：HTGB, DHTGB: VGS(th) (200mV-20V), IGSS (1nA~20mA)；HTRB: IDSS (100nA~20mA)
典型测量精度：VGS(th) : 0.015% + 1mV (@20V)；IGSS: 0.060% + 100pA (@100nA)；IDSS: 1% (@1uA)
