1、kV高速瞬态切换，支持双能成像
上升/下降(<300uS@200mA），相比第一梯队国外竞品kV 瞬态切换速度快约100倍
80kV与140kV高速切换，切换时间<100us, 支持双能成像
2、碳化硅功率半导体器件
高频高共模抗扰度驱动: CMTI>100V/ns
高速短路保护: <2μs
SiC MOSFET芯片并联均流均热不平衡度<5%
3、超高频功率变换
200kHz~500kHz高频运行
有效降低高压变压器与谐振腔体积
大幅减小输出滤波电容容值
4、超低分布电容高压发生器
高功率密度低分布电容封装：<10nF
高频电场优化建模降低分布电容
全功率范围提高高压输出瞬态响应
