双能CT碳化硅高压发生器
性能特点 产品参数
性能特点:

可实现kV高速瞬态切换、超低分布电容和超高频功率变换,支持双能成像,赋能绿色、安全、低剂量的系统级成像体验

产品参数:
1、kV高速瞬态切换,支持双能成像

上升/下降(<300uS@200mA),相比第一梯队国外竞品kV 瞬态切换速度快约100倍

80kV与140kV高速切换,切换时间<100us, 支持双能成像


2、碳化硅功率半导体器件

高频高共模抗扰度驱动: CMTI>100V/ns

高速短路保护: <2μs

SiC MOSFET芯片并联均流均热不平衡度<5%


3、超高频功率变换

200kHz~500kHz高频运行

有效降低高压变压器与谐振腔体积

大幅减小输出滤波电容容值


4、超低分布电容高压发生器

高功率密度低分布电容封装:<10nF

高频电场优化建模降低分布电容

全功率范围提高高压输出瞬态响应