创新性层叠母排和电容结构设计，全系列最低杂感实验室版本，测试主回路杂感低至6nH

高速、高频、高可靠驱动电路，CMTI高达200kV/μS

革新性固态保护开关，保护响应时间 <1μs

10kA级短路电流测试能力，放心摸索产品极限

测试项目：双脉冲测试、短路测试

双脉冲电流等级：4000A（测量范围由PEM探头量程决定）

测试最高电压：两电平 2000V（系统电源支持2000V，高压差分探头测试最高电压可测量至±1500V） 三电平1000V（BUS+到N，BUS-到N）

短路最大耐受电流：10000A（两电平）

功率模块测试条件：Vdc:50~2000V, ld: 5~4000A, Lload: 3/10/20/50/100/200uH

驱动电压范围：最高电压+20V，最低电压-15V（正负压差不超过30V）

测试项目：双脉冲测试、短路测试

双脉冲电流等级：1000A（测量范围由PEM探头量程决定）

测试最高电压：1500V

短路最大耐受电流：3000A

单管测试条件：Vdc:50~1500V, ld: 5~1000A, Lload: 300uH 支持自定义

驱动电压范围：最高电压+20V，最低电压-15V（正负压差不超过30V）

最高性价比

主回路杂感 15nH

主机部分完全复用，搭配不同测试头，实现全品类功率器件测试全覆盖

一机覆盖全场景，可供实验室手测，亦可集成至生产线

DUT类型：SiC/IGBT不同封装单管

测试范围：双脉冲测试、短路测试

测试最高电压：1500V（系统电源支持2000V，高压差分探头测试最高电压可测量至±1500V）

双脉冲电流等级：600A（测量范围由PEM探头量程决定）

最大短路耐受电流：3000A

主回路杂感：30±2nH（实验室版本），45±2nH（分选机TO247-3和TO247-4版本）

DUT类型：SiC MOSFET&Si IGBT模块 (两三电平兼容)

测试范围：双脉冲测试、短路测试（三电平不支持）

测试最高电压：2000V（系统电源支持2000V，高压差分探头测试最高电压可测量至±1500V)

双脉冲电流等级：4000A(测量范围由PEM探头量程决定）

最大短路耐受电流：10000A（两电平）

主回路杂感：15±2nH

自动化本体+自动化组件方案；亦可单独整合进线体，灵活测试

两电平/三电平

产线版本实现超低杂感：15nH

测试项目：双脉冲测试、短路测试

双脉冲电流等级：4000A（测量范围由PEM探头量程决定）

测试最高电压：2000V（系统电源支持2000V，高压差分探头测试最高电压可测量至±1500V）

最大短路耐受电流：10000A

自动化程度：自动化本体+自动化组件（本体可单独整合进入线体）

封装类型：不同封装定制模块

测试项目：双脉冲测试

双脉冲电流等级：1500A（测量范围由PEM探头量程决定）

测试最高电压：1000V（BUS+和N，BUS-和N）

自动化程度：自动化本体+自动化组件（本体可单独整合进入线体）

封装类型：不同封装定制模块