SiC MOSFET 裸芯片 KGD 测试系统
性能特点 产品参数
性能特点:

极低杂散电感,支持高质量的KGD动态(短路)测试

超快速保护,最大限度减少socket和探针的损坏

先进的在线原位探针清洁技术,确保高良率测试

先进的Handler解决方案,以实现最高的UPH

静态测试站

测试参数:V(BR)DSS,IDSS, IGSS, RG(int), VGS(th), Ciss, Coss, Crss, RDS(on), VF

典型测试精度:IGS:0.1% + 500 pA (@10nA), IDS: 0.2% ± 25mA (@500A), VGS: 0.015% + 2.4 mV (@20V ), VDS: 0.05% + 1.2V(@3500V), C: 0.05%

测试能力:最高支持 3500V, 500A

测试温度:常温至200℃

动态测试站(包含短路)

测试参数:Tdon, Tdoff, Tr, Tf, Eon, Eoff, didton, didtoff, dvdton, dvdtoff, Imax, Vmax, Tsc, Esc, Psc, Isc

典型测试精度:IDS: 4%, VGS: 1.5%, VDS: 2%

测试能力:最高支持 2000V, 2000A

测试温度:常温至200℃

雪崩测试站

测试参数:IAS, VDS*, EAS

典型测试精度:IDS: 2%, VGS: 1.5%, VDS: 2%

测试能力:最高支持 3000V, 200A, 20J

测试温度:常温至200℃