功率半导体SiC MOSFET 裸芯片KGD 测试系统
性能特点 产品参数
性能特点:

极速测试体验,测试速度可达1400 UPH,测试站可自由拓展搭配

全面覆盖测试种类,可实现高温、大电流、短路测试等

先进的三重保护方案 ,100ns保护时间,最大限度保护系统和探针卡

静态测试站

测试参数:V(BR)DSS,IDSS, IGSS, RG(int), VGS(th), Ciss, Coss, Crss, RDS(on), VF, gfs, IDS=f(VDS), IDS=f(VGS)

典型测试精度:IGS: 0.100% + 500 pA (@10nA), IDS: 0.2% ± 15mA (@300A), VGS: 0.020% + 2.4 mV (@20V ), VDS: 0.1% + 1V (@3000V), C: 0.10%

测试能力:最高支持 3500V, 300A

测试温度:室温至175℃

动态测试站

测试参数:Tdon, Tdoff, Tr, Tf, Eon, Eoff, didton, didtoff, dvdton, dvdtoff

典型测试精度:IDS: 4%, VGS: 1.5%, VDS: 2%

测试能力:最高支持 2000V, 300A

测试温度:室温至175℃

短路测试站

测试参数:Imax, Vmax, Tsc, Esc, Psc, Isc

典型测试精度:IDS: 2%, VGS: 1.5%, VDS: 2%

测试能力:最高支持 2000V, 1000A

测试温度:室温至175℃