忱芯亮相APEC 2024，多款新品助力SiC MOSFET性能与可靠性提升

2024 / 03 / 04

APEC(Applied Power Electronics Conference)是电力电子行业全球影响力最大的会议之一，聚焦功率半导体与电力电子应用。今年的APEC会议于2024年2月25日-2月29日在美国加州长滩举办，忱芯科技携最新高精密电子测量仪器及SiC功率半导体测试解决方案参展。

忱芯科技从晶圆级到器件级的精准电性能与可靠性测试全面解决方案

APEC 2024：

推出SiC MOSFETKGD及晶圆级动态WLR测试设备，高电流源表首次亮相

此次APEC，针对SiC MOSFET，忱芯科技推出了业内领先的裸芯片KGD (Known Good Die) 解决方案。对SiC 功率半导体在Wafer层面的可靠性问题，则带来了动态晶圆老化测试系统(WLR)，相比传统的静态晶圆老化测试，动态WLR测试更能有效捕捉阈值电压漂移量，排查产品缺陷。

忱芯科技还现场展出了高电流脉冲SMU。该电流源表针对功率半导体器件的特征分析与测试而设计，可广泛应用于IGBT、SiC MOSFET以及其他一些需要快速响应脉冲电流和高速精确电压采样的元件测试。

忱芯科技还将有更多源表产品陆续发布，包括Panther精密电流源表、Magneto精密高压源表、Alita精密低压源表等多个系列，全方位满足不同测试需求。忱芯科技自研源表系列全部基于忱芯科技现有测试平台开发，拥有充分的技术验证及客户应用口碑。

创始人毛赛君博士也应邀在会场做主题报告(Challenges and Solutions for the Precise Dynamic & Static Characterization and Reliability Test of Silicon Carbide Power Semiconductor Device)，针对碳化硅器件的精准动静态测试和可靠性测试为现场行业伙伴答疑解惑。

产品前瞻

忱芯科技(UniSiC)于去年10月完成亿元战略融资，并持续发力前瞻产品研发，丰富产品线布局。2024年，忱芯科技即将推出双极退化测试系统以及面向SiC晶圆级的测试产品，并加快量产产品走向海外市场的步伐，在北美、德国和马来西亚设立服务中心，更好地服务海外客户。

双极退化是SiC衬底材料特性造成的一种常见缺陷，由其基底面位错（BPD）触发，引起SiC MOSFET导通电阻、体二极管导通压降等器件关键参数的变化，从而导致器件结温不断增加，最终影响器件长期可靠运行。

忱芯科技双极退化测试系统

目前，国际头部厂商已将双极退化测试作为SiC MOSFET可靠性测试以及出厂测试的必测项目，而我国还没有SiC MOSFET双极退化测试系统产品，为填补国内产品空缺，忱芯科技率先推出SiC MOSFET双极退化测试系统，实现双极退化精准测试，有力提升器件可靠性。

SiC MOSFET晶圆级动态WLR测试系统

■ 应用于 6/8 英寸 SiC MOSFET 晶圆老化测试，温度范围最高 200℃

■ 测试机柜支持6晶圆并行测试，每层测试子单元完成一种测试

■ 保护功能全，任意芯片出现损害不影响其他DUT，互不干扰

■ 测试符合AQG324或JEP195标准

SiC MOSFET裸芯片KGD 测试系统

■ 极速测试体验，测试站可自由拓展搭建

■ 全面覆盖测试种类，可实现高温、大电流、短路测试等

■ 先进的三重保护方案，最大限度保护系统和探针卡

忱芯科技团队还前往了Wolfspeed美国总部，与其展开合作交流。