SiC MOSFET动态HTGB / HTRB 可靠性测试系统
性能特点 产品参数
性能特点:

高dv/dt

兼容单管器件、半桥模块、三相模块;支持混用

上电自测、保护功能、故障隔离

软件控制:每个工作区可独立控制;单个负载柜每层可独立设置应力参数 

​测试容量
(最小搭配1个抽屉,最多搭配10个抽屉,支持DHTGB和DHTRB混配)

DHTGB

单管 :TO247-3/4兼容_x000b_10层,20个/层,单个负载柜Max 200个

半桥(DCM): 10层,12个/层,单个负载Max  120个

全桥(HPD): 10层,6个/层,单个负载Max  60个


DHTRB

单管 :TO247-3/4兼容 active/passive   10层,20个/层,单个负载柜Max 200个

半桥(DCM): active   10层,12个/层,单个负载Max  120个

全桥(HPD): active   10层,6个/层,单个负载Max  60个

SiC MOSFET动态H3TRB测试系统
性能特点 产品参数
性能特点:

软件:可操作最小单元为1层,除温度外,每层可单独设置工序独立运行;可对每个载板独立控制

安全保护:带电及高温运行条件下,开箱设备会触发报警,同时上位会关闭供电电源,防止人员触电和高温烫伤;

故障隔离:任何被测器件出现故障,不影响其他器件工作

​测试容量

单管(TO 247-3/4兼容)
Passive:8层,40个/层,8层满载Max 320个
Active:1层,20个/层,可满足AQG324标准

半桥模块
Passive:8层,12个/层,8层满载Max96个
Active:1层 ,6个/层,可满足AQG324标准

HPD
Passive:8层,4个/层,8层满载Max32个
Active:1层,2个/层,可满足AQG324标准