忱芯科技功率半导体量产ATE动静态测试系统持续交付斯达

2023 / 04 / 07

忱芯科技2022年10月向斯达半导体交付了SiC功率半导体自动化动态测试系统，运行半年多来系统性能得到了客户高度认可。随后，斯达半导体持续追加多台产线版功率半导体动静态系统订单，忱芯科技小黄人团队，秉承着快、准、稳的交付理念，在极短的交期内，不负众望，持续向客户交付高质量、高性能、高可靠量产版两电平与三电平功率半导体动静态测试系统。

—— 让测试不再成为产能瓶颈 ——

忱芯科技ATE全系列已延展至

Wafer & Die动静态与可靠性测试系统

近年来，中国新能源产业蓬勃发展，加速了上游电力电子器件的国产化进程。SiC MOSFET及硅IGBT功率半导体模块作为新能源汽车、新能源发电等电力电子系统中的核心部件，全面国产化势在必行。斯达半导体作为我国功率半导体龙头企业，凭借技术和产品领先优势，突破半导体行业技术壁垒，引领并覆盖了大体量的国产应用需求。

FT测试，作为功率半导体器件出厂的最后一道关卡，承担着把住门槛（筛选不良品）和保住产能（持续交付）的重要责任。忱芯科技日前向斯达半导体交付的多台SiC/IGBT动静态ATE测试系统，不仅可实现高性能测试，同时，300UPH的效率让测试不再成为产能瓶颈。助力中国芯发展，强力赋能功率半导体国产化浪潮。

测得准测得快测得可靠

车规级应用对于功率半导体性能要求极高，只要wafer、晶圆、封装、工艺等任一环节出现缺陷，最终将导致功率半导体无法满足客户要求。而在每一环节，精准捕捉缺陷，筛选并淘汰不良品，确保向客户交付高性能高可靠的功率半导体器件/模块是每一家功率半导体企业建立品牌力、提高市占率、谋求长远发展的必经之路。

没有精准测量，何谈精准捕捉？

忱芯科技Edison系列SiC/IGBT功率半导体器件动静态测试系统，重点突破影响精准、可靠测试的关键卡脖子难点，包括：

超低回路杂感先进叠层电容母排（小于10nH）；
经过多家头部车企实力验证的高速、高频、高可靠数字驱动电路（共模瞬变抗扰度高达200V/nS）；
高速短路电流保护能力(短路测试能力高达10000A，保护时间<2uS)；
独家系统集成及算法，测试效率高达300UPH等，实现业界领先的精准测试，为驾驭SiC/IGBT日益严苛的高标准测试保驾护航。

推出至今，Edison系列SiC/IGBT功率半导体器件动静态测试系统已成功在多家头部功率半导体企业实现装机，量产运行可靠、稳定。

动态测试系统·产线版 & 静态测试系统·产线版

持续突破，为SiC功率半导体可靠性测试“量身定制”

忱芯科技推出国内首台SiC单管功率器件与功率模块动态可靠性系统

以新能源汽车、新能源发电实际应用工况为导向，Dynamic HTGB/HTRB/H3TRB系统，通过监测SiC MOSFET实际应用栅极开关运行条件下的特性参数变化，研究交流偏压温度不稳定性（AC BTI）的失效机制，验证并评估SiC MOSFET器件的栅极可靠性，英飞凌等国际功率半导体头部企业已经采用动态可靠性测试方法提升SiC MOSFET可靠性，已经被纳入AQG324、JEDEC等国际标准。

但是，实现高频、高速、高精度、高可靠的动态可靠性测试，对于设备来说，挑战巨大。

忱芯科技核心研发团队率先开展技术攻坚，已成功推出业内首台SiC MOSFET Dynamic HTGB/HTRB/H3TRB系统，覆盖碳化硅单管功率器件及功率模块测试，实现可调频率(交流动态应力频率高达500kHz)，门极高频应力发生器dV/dt>1V/ns，漏极高频应力发生器dV/dt>50V/ns，可调正负驱动电压与占空比、实现多器件高温(200℃)、高速、高精度动态可靠性测试。让高温、高频应力下，完美的方波电压不再只停留在教科书上。

忱芯科技SiC MOSFET动态可靠性测试系统

同时，为响应客户的急迫需求，忱芯科技集中优势研发力量，已开始覆盖晶圆级测试系统，包括KGD、动态WLR等ATE测试设备，预计2023年下半年陆续装机交付。