低温测试
最低测试温度 -40℃,独家专利解决凝露难题

低温测试采用低温箱对待测器件进行降温,在测试系统机柜之外增加制冷压缩机以及制冷箱,复用原测试系统的示波器和采样装置。增加低温测试功能后可在 -40℃ 到 200℃ 的超宽温度范围下对碳化硅功率半导体器件的动态特性进行表征,掌握功率器件在极寒和高温环境下的动态特性表现。

雪崩测试
雪崩测试功能
选装雪崩测试功能。软件能设定雪崩电流,负载电感等,自动获取测试波形,并计算雪崩测试参数。
雪崩测试参数
雪崩电压:20~2500V;雪崩电流:0.01~200A;电感等级:100/500uH,1/5/10/20mH 六档;重复次数:1-50次;脉冲宽度:100us - 800ms;功能:具有雪崩电压、单脉冲雪崩能量EAS、单脉冲雪崩功率PAS、重复脉冲雪崩能量EAR等测试功能。
并联测试
  • 碳化硅功率器件并联双脉冲测试
    并联测试包含单管和模块并联两种。
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  • 单管并联,简单易行
    单管并联可复用原测试系统机柜,仅增加单管并联测试专用夹具即可。
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  • 模块并联,挑战技术高峰
    模块并联需要外加模块测试旁柜,外加配置包含测试旁柜箱体、母排电容、驱动板等。原有测试系统的示波器和采样装置可以复用。
筛管测试
  • 为SiC功率器件单管并联应用保驾护航
    并联测试包含单管和模块并联两种。采用业界最精密Tektronix数字源表,实现针对单管功率器件并联运行的高精度器件筛选测试与分类并联测试包含单管和模块并联两种。采用业界最精密Tektronix数字源表,实现针对单管功率器件并联运行的高精度器件筛选测试与分类
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  • 器件筛选测试精度
    阈值电压Vth测试精度:±15mV
    导通电阻Rds(on)测试精度:±0.05mΩ
    源极杂感Ls测试精度:0.5nH