Edison实验室系列
Edison系列自动化碳化硅功率半导体器件动态特性测试装备是功率半导体模块动态性能参数和寄生电感的全自动化测试与分析设备。
主要用于SiC功率半导体模块等功率半导体器件的双脉冲(Double Pulse Testing),单脉冲(Single Pulse Testing)和短路安全工作区(SCSOA)测试,测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。
 
测试范围:单脉冲、双脉冲、一类及二类短路等
器件类型:IGBT & SiC MOSFET
标配封装:HPD模块
 
泰克战略合作伙伴
产品特点
业内最低回路杂感 ≤10nH
超强驱动能力,抗共模抑制比 >100V/ns
更高带宽、更全测试范围
兼容硅IGBT,SiC单管及模块的动态性能测试
手动/自动测试模式一键快速切换
手动模式测试器件极限工况
自动模式适用模块的批量、快速测试
产品规格
  • 采样
    项目 指标
    测试采样频率 6.25GS/s
    示波器测量带宽 2GHz
    电流测试最高带宽 800MHz
    电压测试最高带宽 1GHz

     

  • 测试能力
    项目 指标
    测试最高电压 1500V
    最大测试电流 4000A
    最大短路电流 10000A
    测试电感 20-500uH(分档可调)

     

  • 测试精度
    项目 指标
    直流电源电压精度 ±3% ±10V
    电流测试精度 ±3% ±10A
    门级驱动电压精度 ±3% ±0.1V
    温度控制精度 ±1℃
  • 门级驱动
    项目 指标
    开通电压 +25V(开通、关断电压差不超过30V)
    关断电压  -15V(开通、关断电压差不超过30V)
    最大电流 15A
    驱动电阻 0-255Ω (手动调整)

     

  • 器件类型
    项目 指标
    测试器件类型 SiC MOSFET、Si IGBT
    测试封装类型 单管、HPD模块(其他封装可定制夹具)
  • 温度
    项目 指标
    测试设备工作温度 15-40℃
    DUT测试温度范围

    标配:室温℃~250℃ / 选配:-40℃低温测试