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产品中心
SiC – 750V,900V,1200V/(>800A)

兼容HPD模块

低杂散电感

内置吸收电路

高可靠性(Si3N4 AMB基板)

车规级开发验证

Si&SiC – 1200V,1700V/(100A-300A)

三电平ANPC拓扑结构

兼容Easy 3B模块

低导通压降IGBT芯片

高性能SiC MOSFET芯片

集成NTC温度传感器


SiC – 750V,900V,1200V/(>600A)

兼容HP1模块

内置吸收电路

高可靠性(Si3N4 AMB基板)

车规级开发验证

1200V,1700V/900A碳化硅功率模块数字驱动电路

62mm, HPD封装多封装兼容

SPI 数字接口,方便配置,安全监控

快速退饱和保护 < 2us

可编程米勒钳位功能

集成软关断,有源钳位

开关频率 > 50kHz

Rohs compliable

1200V/900A 高频IGBT功率模块驱动电路

PrimePack兼容

DESAT 检测、短路保护

有源钳位功能

软关断

开关频率 > 30kHz

运行环境温度 -40~125℃

Rohs compliable

SiC – 750V,900V,1200V/(>600A)

兼容HP1模块

内置吸收电路

高可靠性(Si3N4 AMB基板)

车规级开发验证

SiC – 1200V,1700V/700A

兼容EconoDUAL模块

低杂散电感(<10nH)

高可靠性(ZTA或Si3N4 AMB基板)

SiC – 750V,1200V/800A

塑封双面水冷模块

低杂散电感(<4nH)

烧结银互连技术(高可靠性)

开关震荡优化(低EMI)

IGBT – 650V,1200V/(450A-1000A)

兼容EconoDUAL模块

高速IGBT芯片(低开关损耗)

高散热效率(ZTA或Si3N4 AMB基板)

高可靠性(专为高强度、高频短脉冲输出特性优化)

车规级开发验证

SiC – 750V,1200V/200A

高温高热容模块

运行环境温度>200°C

烧结银互连技术(高可靠性)